产品介绍

        VS-300T Astra-s SiN 是一款等离子体增强原子层沉积（PEALD）设备，聚焦高性能、多规格的氮化硅（SiN）介质薄膜精密沉积，应用于先进逻辑的金属栅极间隔物侧墙、单扩散区隔离，以及存储位线侧墙、DRAM 位线填充等工艺，在片内均匀性、缺陷控制、台阶覆盖率及沉积速率等方面达到国际先进水平。产品采用紧凑型架构，可搭载4个反应腔，具有优异的坪效比和 CoO，满足逻辑、存储等客户先进技术节点要求。

产品特点
        - 高质量 SiN 薄膜沉积能力
        - 优异的片内均匀性
        - 最多可搭载4个反应腔，满足高产能需求
        - 优异的坪效比和 CoO
        - 通过S2安全认证和F47标准检验