产品介绍

        碳氧化硅（SiCO）凭借低介电常数（Low-k）、耐湿法刻蚀，以及高台阶覆盖率，在先进制程中的应用逐步扩大。PF-300T Astra SiCO 是一款低介电常数薄膜沉积设备，结合 CVD 与 ALD 的技术优势，兼顾产能与工艺稳定性。面向先进芯片结构中的低k介质侧壁层，可实现高台阶覆盖率的 SiCO 薄膜沉积，同时降低等离子体带来的直接损伤，有效降低器件层间寄生电容、减少信号串扰，显著提升芯片运行速度与能效表现。产品的主要技术指标达到国际先进水平，广泛应用于先进逻辑以及存储芯片制造领域。

产品特点
        - 高品质 SiCO 薄膜沉积能力
        - 优异的片内均匀性和颗粒控制能力
        - 可搭载3个双两站式反应腔
        - 通过 S2 安全认证和 F47 标准检验