合作共赢 | 拓荆科技酷炫登场 IC WORLD

        9月11日-9月13日，2024北京微电子国际研讨会暨IC WORLD 大会在北京北人亦创国际会展中心隆重举办。拓荆科技携PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）设备模型等技术成果参展，与业界同仁畅谈，探讨挑战与机遇。

        拓荆展位酷炫的造型、动感的色彩和精致的模型精彩亮相，科技和艺术完美融合的理念彰显拓荆的品味和创新，赢得客户和供应商的关注和赞赏。

        拓荆科技高级副总裁王昕作为集成电路关键设备技术发展论坛的主持人，并发表题为“沟槽填充和紫外光照工艺挑战和解决方案”的报告，阐述了HDPCVD、SACVD、更先进Gap-fill工艺及UV技术所面临的诸多挑战，展示了拓荆多款技术的解决方案，并分享了在相关应用中积累的技术KnowHow和量产经验。

        本届展会展现了拓荆在半导体设备领域的不懈探索和可喜成果。感谢各位莅临，下一站我们无锡设备年会见！